براي سرعت بخشيدن به کار ترانزيستورها تنها بالا بردن سرعت آنها کافي نيست چون سيگنال هاي خروجي هر ترانزيستور بايد هر چه سريعتر به مرحله بعدي پردازش برسد و مهمترين چيزي که در پردازنده هاي کنوني از بالا بردن بسامد جلوگيري مي کند طولاني بودن زمان حرکت سيگنال روي مسيرهاي انتقال است که Interconnects هم ناميده مي شوند.
سرعت حرکت سيگنال روي مسير انتقال از يک ترانزيستور به ترانزيستور ديگر در درجه نخست به دو عامل بستگي دارد که يکي مقاومت الکتريکي مسير و ديگري بار الکتريکي القايي مزاحم است. اين دو عامل هر چه کمتر باشند مسير انتقال با سرعت بيشتري بارگذاري شده و سيگنال سالم تر و سريعتر به مرحله بعدي مي رسد.
از همين رو، در Prescott نيز همچون Northwood و اتلون مسيرهاي درون پردازنده کاملا از مس ساخته شده. مقاومت مس حدود 40 درصد از آلومينيم که در هسته Willamette به کار رفته است کمتر است. نکته اي که تازگي دارد اين است که هر هفت لايه هسته پردازنده در ماده اي با نام Low-k Material خوابانده شده است.
در دي اکسيد سيليسيوم که تاکنون به کار مي رفته ثابت دي الکتريک K حدود 4 است و ظرفيت بار الکتريکي مسيرها را بالا مي برد.
در Northwood براي نخستين بار به کمک ترکيبات فلوئور ثابت K تا 6/3 پايين آمد. اکنون اينتل با نفوذ دادن کربن به دي اکسيد سيليسيوم K تا 0/3 کاهش داده اين کار بارهاي الکتريکي القايي را تا 25 درصد پايين آورده و به همان نسبت سرعت حرکت سيگنال ها را بالا مي برد.
