دانشمندان يك ترازيستور تك الكتروني ساختهاند كه پايه اوليه حافظههاي جديد و قويتر رايانه، مواد الكترونيكي پيشرفته و تركيبات اوليه رايانههاي كوانتومي را ارائه ميكند.
به گزارش سرويس علمي خبرگزاري دانشجويان ايران(ايسنا)، اين تيم تحقيقاتي به رهبري دانشگاه پيتسبورگ در مقاله خود كه در مجله نيچر نانوتكنولوژي منتشر شده گزارش كردند كه تركيب مركزي ترانزيستور با قطر تنها 1.5 نانومتر با افزودن يك يا دو الكترون كار ميكند.
اين قابليت، اين ترانزيستور را براي برنامههاي رايانهيي از حافظه فوق متراكم گرفته تا پردازشگرهاي كوانتومي بسيار مهم ميكند.
به علاوه، از اين جزيره مركزي كوچك ميتوان به عنوان يك اتم مصنوعي براي ساخت نمونههاي جديد مواد الكترونيكي مصنوعي مانند فوقرساناهاي عجيب با ويژگيهايي كه در مواد طبيعي يافته نميشود، استفاده كرد.
اين دانشمندان دستگاه خود را «SketchSET» به معني «ترانزيستور تك الكتروني مبتني بر طرح» ناميدهاند. اين دستگاه اولين ترازيستور تك الكتروني است كه تماما از مواد اكسيدي ساخته شده و ساختار مركزي آن تنها ميتواند تا دو الكترون را در خود جاي دهد.
تعداد الكترونها كه ميتواند صفر، يك يا دو باشد به خواص رساناي متمايزي منجر ميشود.
به گفته دانشمندان، يكي از حسنهاي اين ترانزيستور، حساسيت بالاي آن به يك بار الكتريكي است.
ويژگي ديگر اين مواد اكسيدي فروالكتريسيته است كه كه به ترازيستور اجازه ميدهد به عنوان يك حافظه جامد عمل كند. حالت فروالكتريسيته ميتواند در غياب نيروي خارجي تعداد الكترونهاي مركزي را كنترل كند كه در عوض ميتوان از آن براي نمايش حالت صفر و يك يك عامل حافظه استفاده كرد.
حافظه رايانهيي با اين مشخصات قادر است كه حتي در زمان خاموش بودن پردازشگر به جمعآوري اطلاعات بپردازد.
