31: رشد ZnO بر روي شيشه و اثر ميدان الكتريكي بر رشد و جهت مندي آنها
فربد منصور، آهنگرپور آمنه
كنفرانس ملي خلاء ايران  1386;بهمن 1386(3)
کلید واژه: 
خلاصه:

در دهه هاي اخير تلاش فراواني به منظور ساخت نيمرساناهاي با گاف نواري پهن به خاطر كاربردهاي زياد آنها در ادوات اپتوالكتريكي صورت گرفته است .ZnO نيمرسانايي با گاف انرژي پهن و مستقيم حدود3.37vev  در دماي اتاق است و كه كاربردهاي فراواني در نانوالكترونيك و نانوفتونيك دارد. در اين تحقيق براي اولين بار نانوسيم هاي ZnO به روش اكسيداسيون مستقيم بر روي بستري از شيشه در دماي 400 درجه در هوا و يا فلويي از اكسيژن رشد داده شدند.
نانو سيم هاي توليد شده با ميكروسكوپ الكتروني روبشي (SEM) و آناليز EDX بررسي شدند. قطر نانوسيم ها حدودmn  15-30 و طول آنها به چندين ميكرون مي رسيد.
به منظور بررسي اثر ميدان الكتريكي بر جهت مندي آنها ميدان هاي الكتريكي 2000-10000V/m به نمونه ها حين رشد اعمال گرديد. نوعي جهت مندي براي ميدان هاي الكتريكي5000V/m  براي رشد داده شده بر روي زير لايه Zn مشاهده گرديد.