پاسخ به:مقالات خلاء

در اين مقاله با پاشش پلاسمايي Ti بر روي سطح تميز Si ساختار دور آلاييده معكوس p-Si/SiGe/Si اتصال فلز - نيمه رساناي Ti/Si به عنوان دريچه ايجاد گرديد. در لايه آلياژي اين ساختار يك گاز حفره اي دو بعدي (2DHG) با چگالي سطحي n وجود دارد و با اعمال ولتاژ مناسب به دريچه V ميتوان چگالي آن را تغيير داد. با برازش نظري نتايج تجربي n-V به محاسبه چگالي سطحي بارهاي ميانگاه Ti/Si پرداختيم. نتايج نشان مي دهد كه با افزايش ضخامت لايه Si پوششي از 180 به 480 نانومتر چگالي سطحي بارهاي ميانگاه  Ti/Siبه ترتيب از 4.6×10cm به 1.95×10cm كاهش مي يابد.