71: ايجاد ريزساختار بر روي سطح سيليکون با استفاده از ليزر اگزايمر
بصام محمدامين، پروين پرويز، سجاد بتول
كنفرانس اپتيك و فوتونيك ايران  1385;بهمن 1385(13)
کلید واژه:  نورکندگي، ليزر اگزايمر، ريزساختار سيليکون
خلاصه:

در اين مقاله ريزساختارهايي که در اثر تابش ليزر پالسي بر روي سطح يک ويفر سيليکوني ايجاد مي شود مورد بررسي قرار گرفته است. پرتو تابشي ليزر اگزايمر ArF توسط يک عدسي کانوني کننده بر روي سطح مورد مطالعه که درون يک سلول و تا فشار 200 torr با گاز SF پر شده است، بطور عمود تابيده مي شود. ويفر سيليکوني داراي صفحه کريستالي <100> و مقاومت ويژه 0.23 W-cm مي باشد. تابش دهي سطح سيليکون با پالسهاي متوالي و پي در پي پرتو ليزر با چگالي انرژي 3.2 J/cm، ريزساختارهايي بر روي آن ايجاد مي نمايد که از ريزحفره هايي که ريز مخروط هايي اطراف آنها را احاطه کرده، تشکيل شده است.