ساخت نخستین تراشه DRAM با فنآوری 30 نانومتر در جهان
یک شنبه 3 بهمن 1389 6:39 AM
نخستین تراشه حافظه DRAM با فنآوری 30 نانومتر در جهان، توسط سامسونگ الکترونیکس ساخته شد.
طبق پیشبینی این شرکت، محصول جدید نسبت به تراشههایی DRAM که با فنآوری 40 نانومتر ساخته شدهاند مصرف برق را تا 85 درصد کاهش میدهد.
بنا بر اعلام سامسونگ، این فنآوری همچنین بهرهوری را تا 60 درصد افزایش میدهد و هر تراشه DRAM فضای کمتری را در خط تولید اشغال میکند.
بر مبنای فنآوری نانوی جدید، انتظار میرود تراشه DDR3 که بهعنوان حافظه DRAM برتر در سال جاری ظهور میکند، در مجموعه گستردهای از محصولات ماند سرورها، نوت بوکها، دسکتاپها و نسخههای آینده نتبوکها و دستگاههای موبایل به کار گرفته شود.
سامسونگ تولید انبوه DDR3 با فنآوری 30 نانومتر را برای نیمه دوم سال جاری میلادی برنامهریزی کرده است
