سامسونگ حافظه فلش 20 نانومتري توليد كرد

شركت سامسونگ موفق به توليد نسل جديد از حافظه‌هاي فلش NAND مبتني بر فناوري 20 نانومتري شده كه قابليت‌هاي بيشتري نسبت به مدل پيشين آن مبتني بر فناوري 25 نانومتري دارد.

كمتر از سه ماه قبل مركز مشترك توسعه حافظه‌هاي مجازي شركت‌هاي اينتل و ميكرون موسوم به IMFT موفق به توسعه نسل جديدي از حافظه‌هاي فلش مبتني بر فناوري 25 نانومتري شد.
اما سامسونگ هم‌اكنون اعلام كرده است كه مدل پيشرفته‌تر آن را بر پايه فناوري 20 نانومتري توليد كرده است. اين اتفاق باعث خواهد شد تا شركت‌هاي اينتل و ميكرون مجبور شوند قيمت حافظه فلش خود را پايين بياورند.
حافظه فلش جديد ساخته شده در سامسونگ به اين شركت كره‌اي كمك مي‌كند تا تراشه حافظه‌هاي جديد NAND را با سرعت 34 گيگابيت يا 4 گيگابايت توليد كند. پيش‌بيني شده است كه كارت‌هاي حافظه SD جديد مبتني بر فناوري 20 نانومتري از اواخر سال جاري ميلادي با ظرفيت داخلي 4 تا 64 گيگابايت وارد بازار شوند.
اين محصول سامسونگ جديد مانند حافظه‌هاي 25 نانومتري توليد شده در شركت IMFT اين امكان را براي شركت توليدكننده فراهم مي‌كند تا ظرفيت داخلي حافظه فلش را دو برابر افزايش دهد، سرعت آن را بيشتر كند و آن را با قيمت ارزان‌تري به دست كاربران برساند.
حافظه فلش 20 نانومتري به توليدكنندگان دستگاه‌هاي الكترونيكي و ديجيتالي امكان خواهد داد تا نسل جديد گوشي‌هاي هوشمند را به صورت باريك‌تر و كوچك‌تر توليد كننده، حافظه داخلي آن‌ها را دو برابر كنند و سرعت انتقال اطلاعات در آن‌ها را افزايش دهند.
قابليت‌هاي اجرايي و سرعت انتقال اطلاعات در حافظه فلش 20 نانومتري سامسونگ نسبت به مدل پيشين اين محصول 30 درصد افزايش يافته است. سامسونگ هنوز سرعت دقيق انتقال اطلاعات و بازيابي آن‌ها از اين حافظه فلش را اعلام نكرده است.