پاسخ به:بانک مقالات گوناگون از کلیه رشته ها
جمعه 5 خرداد 1391 12:17 PM
| 3 : مجله پژوهشي علوم پايه دانشگاه اصفهان 1385; 26(4 (ويژه نامه فيزيك، رياضي و آمار)):13-18. |
| رسانندگي گرمايي در GaN، تاثير ناخالصي ها و دررفتگي ها |
| عشقي حسين* |
| * گروه فيزيك، دانشگاه صنعتي شاهرود |
|
در اين مقاله به تحليل دقيق رسانندگي گرمايي k نيمرسانايGan با ساختار وورتسايت در گستره پهن دمايي 5 تا 300 كلوين مي پردازيم. تحليل ما نشان مي دهد كه بر مبناي مدل گرماي ويژه دباي اين ماده از دماي مشخصه 616 كلوين برخوردار است. اين كميت بر احتمال وقوع فرآيندهاي پراكندگي واگرد (µ) فونون-فونون كه ساز و كار غالب در دماهاي بالاتر از 150 كلوين در اين ماده است تاثير دارد. در دماهاي پايينتر به ترتيب پراكندگيهاي ناشي از ناخالصي ها و دررفتگي هاي بلوري فرآيندهاي غالب پراكندگي فونونها هستند. اگرچه قله رسانندگي (kmax) در يك نمونه گزارش شده توسط جزوسکي و همکاران که از بالاترين مقدار (در حدود W.cm-1. k-1 17) در نمونه هاي گزارش شده تا کنون برخوردار است پيش بيني مي شود با يك مرتبه بزرگي كاهش در تراكم دررفتگي ها و ناخالصي ها باهم، اين مقدار 10 برابر افزايش يابد. |
| كليد واژه: رسانندگي گرمايي، نيمرسانا، گاليوم نيترايد، پراكندگي فونوني، ناخالصي ها، دررفتگي ها |
 |
|
نسخه قابل چاپ |
