مقالات مهندسي سطح و عمليات حرارتي

در اين مقاله تغيير مقاومت الكتريكي نيمه هادي سيليكن در اثر تنش هاي سطحي بررسي مي گردد اين تنش هاي سطحي ناشي از اعمال فشار به ديافراگم سيليكن مي باشند. فشار يا تنش مكانيكي باعث تغيير در حجم فيزيكي ماده مي شود. در اثر فشار، ثابت شبكه جسم بلوري تغيير مي نمايد. تغيير در ثابت شبكه باعث تغيير در گاف انرژي مي گردد. اين تغيير نيز باعث تغيير غلظت حامل هاي بار يعني الكترون هاي باند رسانش و حفره هاي باند ظرفيت مي شود. نهايتا تغيير در غلظت حامل هاي بار سبب تغيير رسانش الكتريكي جسم مي گردد. خواص الكترومكانيكي ذاتي تراشه سيليكن سبب مي شود تا در اثر تنش، تغيير مقاومت ويژه قابل توجه اي به وجود آيد اين تراشه به صورت لايه هاي نازك روي ديافراگم كاشت يون مي شوند در اين تحقيق تغيير مقاومت الكتريكي تراشه سيليكن در اثر تنش هاي طولي و عرضي، شناسايي محل ظهور حداكثر تنش سطحي، تنش سطحي در شكل هاي مختلف هندسي ديافراگم و محدوديت تنش سطحي در رابطه با محدوديت ساخت بررسي خواهد شد براي اندازه گيري تغيير مقاومت كل، يك سيستم پل مقاومتي با چيدماني چهار مقاومت متغير طراحي گرديده كه به عنوان سنسور عمل مي كند پيزورزيستيوها براي اندازه گيري فشار در حالت دايمي يا فشار استاتيك به خوبي اندازه گيري فشار در حالت هاي ديناميكي كار مي كنند. در نهايت مزاياي ترانسديوسرهاي پيزورزيستيو نسبت به ساير ترانسديوسرهاي الكترومكانيكي از نظر حساسيت، ابعاد، حجم، وزن، خروجي خطي، حذف اثرات پسماند و حذف خزش زماني بررسي گرديده است.