مقالات مهندسي سطح و عمليات حرارتي

لايه هاي نازك منگنايت La_0.75Sr_0.25Mno₃ با استفاده از دستگاه لايه نشاني تپش ليزري(PLD)  ساخته شد. سپس تاثير افزودن MgO بر مغناطو مقاومت اين لايه ها مورد بررسي قرار گرفته است مطالعات نشان ميدهد كه MgO به عنوان فاز جداگانهاي در بين دانه ها قرار مي گيرد مقاومت الكتريكي نمونه ها در ميدانهاي 0.0، 0.3، 0.7 و 1.0 تسلا اندازه گيري شد نتايج اين اندازه گيري حاكي از آن است كه مغناطو مقاومت لايه هاي نازك مورد مطالعه تحت تاثير قرار گرفتن MgO در مرز دانه ها به صورت قابل توجهي افزايش مي يابد. مقدار بيشينه مغناطو مقاومت براي نمونه آلاييده به MgO در ميدان مغناطيسي 1 تسلا حدود32  درصد به دست آمد در حالي كه اين مقدار براي نمونه خالص حدود 18 درصد است تونل زني وابسته به اسپين و پراكندگي در مرز دانه ها توجيهي براي افزايش مغناطو مقاومت در نمونه آلاييده نسبت به نمونه خالص است.