پاسخ به:مقالات خلاء
شنبه 26 فروردین 1391 11:05 AM
 31: رشد ZnO بر روي شيشه و اثر ميدان الكتريكي بر رشد و جهت مندي آنها  |
| فربد منصور، آهنگرپور آمنه |
| كنفرانس ملي خلاء ايران 1386;بهمن 1386(3) |
| کلید واژه: |
|
خلاصه:
در دهه هاي اخير تلاش فراواني به منظور ساخت نيمرساناهاي با گاف نواري پهن به خاطر كاربردهاي زياد آنها در ادوات اپتوالكتريكي صورت گرفته است .ZnO نيمرسانايي با گاف انرژي پهن و مستقيم حدود3.37vev در دماي اتاق است و كه كاربردهاي فراواني در نانوالكترونيك و نانوفتونيك دارد. در اين تحقيق براي اولين بار نانوسيم هاي ZnO به روش اكسيداسيون مستقيم بر روي بستري از شيشه در دماي 400 درجه در هوا و يا فلويي از اكسيژن رشد داده شدند. |
