مقالات اپتيك و فوتونيك ايران

لوله هاي نانويي کربن برروي زيرلايه هاي سيليکوني (100) به کمک منبع کربني اسيتيلن با روش رسوب گذاري شيميايي رشد داده شدند. شرايط توليد رشد عمودي لوله هاي نانويي کربن با اندازه دانه هاي کاتاليزور کنترل شد. در اين تحقيق از کاتاليزور اكسيد ايتريم در سه اندازه متفاوت و همچنين از اسيتيلن در فشار و دماي بهينه به عنوان منبع كربني براي رشد لوله هاي نانويي کربن استفاده شد. پودرهاي اكسيد ايتريم با اندازه هاي دانه بندي مختلف در محدوده نانومتري بوسيله روش هم رسوبي تهيه شد. اندازه گيري طيف سنجي پراکندگي رامان رشد يکنواخت لوله هاي نانويي کربن با اندازه هاي مختلف را بر روي سطح سيليکون نشان مي دهند. شدت نسبي و موقعيت بعضي قله هاي رامان را مي توان با تغيير اندازه ذرات کاتاليزوري در رسوب گذاري شيميايي گرمايي کنترل کرد. اثر ترکيبات کاتاليزور بر ريخت شناسي لوله هاي نانويي کربن با طيف سنجي رامان بررسي شد. بررسي هاي انجام گرفته نشان دادند که کيفيت بهتر لوله هاي نانويي کربن را مي توان با کوچکتر کردن اندازه ذرات کاتاليزور بدست آورد. ساز و کار رشد لوله هاي نانويي کربن در روند کار به طور کامل روشن نشده است اما نکته اي که قابل بررسي است اثرات حياتي کاتاليزور بر اتم هاي کربن رسوب کرده در همان قدم هاي ابتدايي است. کنترل قطر لوله هاي نانويي کربن هنوز هم از موارد بسيار مشکل رشد است که يکي از موضوعات بسيار بحث برانگيز براي رشد بهينه تک بعدي لوله هاي نانويي کربن است. مقاله حاضر اطلاعات مفيدي از تلاشي تجربي براي بدست آوردن لوله هاي نانويي کربن با قطر مورد دلخواه را ارايه مي دهد.