مقالات اپتيك و فوتونيك ايران

طيف سنجي Attenuated Total Reflection)) در ناحيه فروسرخ دور به وسيله تابش مايل قطبيده روي نمونه هاي نيمه هادي، هر يک شامل لايه هاي نازک GaN و آلياژ سه تايي IN_0.7Ga_0.3N با ساختارهاي مکعبي که بر روي زيرلايه GaAs رشد داده شده اند بطور نظري بررسي شده است. اثر آلائيدگي، تغيير ضخامت لايه و درصد مولي ترکيبات در آلياژ روي محل اين مد سطحي بررسي شده است، مشاهده شده که مکان مد سطحي موجبر در اثر اين عوامل تغيير مي کند. جابجايي قابل توجه مد موجبر ابزار مناسبي براي اندازه گيري بارامترهاي فوق الذکر در انطباق طيف تجربي و تئوري است.