دانلود کتب، جزوات و مقالات فیزیک

مقدمه: درسال هاي اخير، تحقيقات تجربي و نظري گسترده اي در زمينه رسانش نانو ساختارهاي مغناطيسي انجام شده است. در اين راستا پديده ترابرد اسپيني در نانو ساختارهاي مغناطيسي از قبيل سيم کوانتومي مغناطيسي توجه زيادي را از لحاظ علمي و تکنولوژيکي به خود جلب کرده است. خواص رسانش الکتريکي اين ساختار ها، از طريق محدود کردن آن ها بين دو الکترود فلزي و عبورجريان از ميان آن مورد بررسي قرار مي گيرد. در اين مقاله ترابرد قطبيده اسپيني در يک نانو کريستال مغناطيسي متصل شده به دو الکثرود فلزي سه بعدي بررسي مي شود.
هدف: بررسي ترابرد قطبيده اسپيني در يک نانو کريستال با لايه هاي مغناطيسي در حظور ميدان هاي الکتريکي و مغناطيسي، بر اساس فرمول بندي لاندائور.
روش بررسي: در اين مقاله ترابرد قطبيده اسپيني در يک سيم کوانتومي سه بعدي با لايه هاي مغناطيسي و با ساختار مکعبي ساده که به دو الکترود فلزي سه بعدي با همان ساختار محدود شده است، در مدل بستگي قوي و روش تابع گرين در فرمول بندي لاندائور مورد بررسي قرار مي گيرد.
نتايج: در حضور ميدان مغناطيسي خارجي ترابرد اسپين هاي بالا و پايين در کانال هاي مجزايي صورت مي گيرد، الکترون هاي با اسپين پايين سهم کمتري در ترابرد دارند و ميدان الکتريکي به دليل فرونشاني در اندازه ترابرد باعث کاهش آن مي شود.
نتيجه گيري: حضور و عدم حضور ميدان مغناطيسي خارجي به دليل تاثيرشان در جهت گيري ممان هاي مغناطيسي لايه هاي مغناطيسي، اثرات متفاوتي را نشان مي دهد. در حضور ميدان مغناطيسي خارجي ممان هاي مغناطيسي لايه هاي مغناطيسي هم جهت بوده و پيکربندي فرومغناطيس را به وجود مي آورند. در غياب ميدان مغناطيسي خارجي ممان هاي مغناطيسي لايه هاي مغناطيسي غيرهم جهت بوده و پيکربندي پادفرومغناطيس را بوجود مي آورند. همچنين ميدان الکتريکي که در جهت عمودي بر سيم وارد مي شود باعث فرونشاني در اندازه ترابرد مي شود، اين ميزان کاهش را مي توان به صورث خارجي توسط همين ميدان کنترل کرد.

 نسخه قابل چاپ