پاسخ به:دانلود کتب، جزوات و مقالات فیزیک
جمعه 29 اردیبهشت 1391 5:48 PM
| 6 : پژوهش فيزيک ايران تابستان 1383; 4(2):125-172. |
| خواص ساختاري، الكتروني و ديناميك شار ابررساناي Gd(Ba2-xPrx)Cu3O7+d |
| محمدي زاده محمدرضا,اخوان محمد |
|
به منظور مطالعه خواص ساختاري، الکتروني و ديناميک شار، نمونه هاي تک فاز و چند بلوري Gd(Ba2-xPrx)Cu3O7+d با 0.00£X£1.00 ساخته و مورد ارزيابي قرار گرفتند. نحوه تغييرات پارامترهاي شبکه و حجم سلول واحد بر حسب آلايش (x)Pr، مقدار اکسيژن بيشتر از 7، مشاهده حد حل پذيري و بروزگذار اورتورومبيک - تتراگونال بر حسب x و عدم مشاهده هر گونه فاز ناخالصي بر پايه Gd همگي حاکي ازحضور اتم Pr درمکان Ba است. چنين ادعايي از مقايسه کميتهاي بالا با موارد مشابه در ترکيب (Gd1-xPrx)Ba2Cu3O7-dو همچنين مقادير مختلف آلايش بحراني Pr براي بروز گذار ابررسانا - عايق در دو ترکيب بالا به خوبي قابل اثبات است. در بعضي ازمقادير آلايش Pr يک برآمدگي نامتعارف در منحني r(T) در دماي حدود 90-80 K مشاهده شد. حضور اتم هاي Ba در مکان اتم نادر زمين (R) منجربه بروز ابر رسانايي در برخي از نواحي دانه ها شده است که به صورت يک برآمدگي در منحني r(T) مشاهده مي شود. رژيم غالب رسانشي فاز هنجار نمونه ها، رسانش پرشي با برد متغير دردو بعد (2 D-VRH) به دست آمده است. آلايش Pr قويا حاملها را در فاز هنجار جايگزيده کرده که سرانجام منجر به اضمحلال ابر رسانش مي شود. مقدار آلايش بحرانيPr براي اضمحلال ابررسانايي (گذار ابررسانا-عايق) در ترکيب مورد مطالعه، 35/0 و براي مشاهده گذار فلز-عايق، 2/0 است. مطالعه ترکيبات ديگر ابررساناهاي دماي بالا نيز حاکي از تمايز اين دو گذار است. حضور Pr در مکان Ba در ساختار ترکيبات 123 HTSC، افزايش دماي گشايش شبه گاف Ts و اضمحلال ابررسانش پايه Gd-123 مي شود. مطالعه Ts در دو ترکيب ياد شده نيز حاکي از اثر مخرب تر Pr در مکان Ba نسبت به مکان R است. نمودار فاز ارايه شده بر اساس تغييرات دماي گذار اين رسانايي و دماي گشايش شبه گاف بر حسب ميزان آلايش حفره شبيه نمودارهاي فاز ميدان متوسط ارائه شده همانند RVB است. مقاومت مغناطيسي نمونه ها نيز اندازه گيري شدند و درچارچوب مدلهاي خزش شارو AH مورد بررسي قرار گرفتند. چگالي جريان بحراني به دست آمده،Hc2(T) ، HC2(0) و طول همدوسي ابررسانايي z نشان مي دهند که آلايش Pr همانند ارتباطات ضعيف، انرژي ميخکوبي شار مغناطيسي را کاهش مي دهد. همچنين رفتار دو بعدي HTSC به خصوص ترکيبات اخير در مقايسه با سيستمهاي الکتروني دو بعدي يعني MOSFET ها و لايه هاي بسيار نازک ابررساناهاي متعارف مورد مطالعه قرار گرفتند. وجود شباهت هاي زياد در اين سيستم ها مي تواند ناشي از منشا فيزيکي يکساني باشد. چنين مطالعه مقايسه اي مي تواند فيزيک پيچيده ابررساناهاي دماي بالا و گازهاي الکتروني دو بعدي را بيشتر قابل ارزيابي قرار دهد. نتايج اين تحقيق حاکي از اهميت مکان Pr در ترکيبات HTSC123 براي فهم سازوکار اضمحلال ابررسانش توسط آلايش Pr است. بنابراين، هر نظريه جامع بايد بر اساس مکان Pr در سلول واحد ارائه شده و در مقايسه با نتايج تجربي نيز به ترتيبي، مکان Pr بايد به طور دقيق تعيين شود. |
| كليد واژه: |
 |
|
نسخه قابل چاپ |
