دانلود کتب، جزوات و مقالات فیزیک

در اين مقاله سعي بر آن است که ضمن مطالعه نقش نيتروژن در فرآيندهاي اپتيکي نيمه رساناي InGaNAs، روشهاي بهبود بازده اپتيکي نانوساختارهاي اين نيمرسانا را به منظور به کارگيري آن در ساختمان ديودهاي ليزري ناحيه IR تشريح کنيم و نشان دهيم که چگونه با وارد کردن نيتروژن به ساختار InGaNAs طول موج گسيلي آن به ناحيه مطلوب منتقل مي شود و چگونه ضمن رسيدن به طول موج مناسب مي توان بهره اپتيکي را بهبود بخشيد. تغييرات ايجاد شده در ساختار نواري به دليل حضور نيتروژن با استفاده از مدل دافعه نوري قابل بررسي است و ايجاد اين تغييرات در نتيجه دافعه بين تراز جايگزيده ناشي از نيتروژن و لبه نوار رسانش ماده ميزبان (InGaNAs) است. بر اساس مدل فوق، در نتيجه حضور نيتروژن گاف نواري نيمرسانا کاهش مي يابد و بدين ترتيب طول موج نور گسيلي از نمونه به منظور دستيابي به طول موجهاي ناحيه مادون قرمز نيز قابل کنترل است. همچنين حضور نيتروژن از يک طرف باعث ايجاد افت و خيزهاي پتانسيل در ساختار نواري نيمرسانا مي گردد که به عنوان مراکز تله عمل نموده و باعث جايگزيدگي اکسيتونها مي شوند که در نتيجه آن احتمال بازترکيب اکسيتوني افزايش يافته و راندمان نوري بهبود مي يابد، ولي از طرف ديگر حضور نيتروژن موجب ناهمواريهايي به ويژه در سطح مشترک چاه و سد در ساختارهاي کوانتومي مي شود که اين ناهمواريها به عنوان مراکز بازترکيب غيرنوري عمل مي کنند.

 نسخه قابل چاپ