پاسخ به:دانلود کتب، جزوات و مقالات فیزیک
سه شنبه 29 فروردین 1391 7:10 PM
 55: اثر بازپخت برروي تشكيل فاز β-SiC در نمونه هاي سيليكوني بمباران شده با متان؛ مشخصه يابي به كمك طيف سنجي FTIR  |
| ديباجي سيدحسن، مجتهدزاده لاريجاني مجيد، صالح كوتاهي محسن، نوين روز عبدالجواد |
| کنفرانس فيزيک ايران 1384;شهريور 1384(1) |
| کلید واژه: |
|
خلاصه:
گاز متان با انرژي 90keV و گستره دز از cm2 / يون 4×1017 تا 3.2×1018 درون سيليكون كاشته شده است. دماي زير لايه ها در حين كاشت 570oC و بازپخت بعدي در دماي 980oC بوده است. اندازه گيري هاي FTIR نشان مي دهد كه بلافاصله بعد از كاشت، پيوند بين كربن و سيليكون برقرار شده و كاربيد سيليكون آمورف هيدروژن دار (a-SiC: H) تشكيل و بعد از بازپخت، لايه هاي آمورف به b-SiC تبديل شده اند. در اين مقاله نشان داده شده است كه ميزان كريستاليزه شدن b-SiC از دز cm2 / يون 4×1017 تا 1.2×1018 افزايش و بعد از اين دز تا 3.2×1018 كاهش يافته است. بنابراين دز بهينه اي براي تشكيل b-SiC وجود دارد. همچنين در اين مقاله ضخامت لايه ها بوسيله طيف سنجي FTIR محاسبه شده است. |
