پاسخ به:دانلود کتب، جزوات و مقالات فیزیک
سه شنبه 29 فروردین 1391 7:09 PM
 53: اثر ناخالصي بر TMR و مشخصه I-V در نانو ساختارهاي مغناطيسي  |
| كنجوري فرامرز |
| کنفرانس فيزيک ايران 1384;شهريور 1384(1) |
| کلید واژه: |
|
خلاصه:
مقاله حاضر به بررسي نظري اثر ناخالصي نقطه اي درون يك لايه دي الكتريك (I) كه بين دو الكترود فرومغناطيس (F) قرار دارد، بر مشخصه ولت - آمپر و مقاومت مغناطيسي تونلي (TMR) مي پردازد. نشان داده شده است كه جريان و TMR در نزديكي ناخالصي به شدت افزايش مي يابد. همچنين اگر مكان ناخالصي درون دي الكتريك نسبت به مرز لايه ها متقارن نباشد، I-V رفتاري ديودگونه خواهد داشت. |
