پاسخ به:دانلود کتب، جزوات و مقالات فیزیک
سه شنبه 29 فروردین 1391 7:05 PM
 30: مطالعه تاثير آلايش هالوژن بر عملكرد ترانزيستور MOS با ابعاد نانومتري  |
| فتحي پور مرتضي، قنبري شيرين، ارضي عزت اله |
| کنفرانس فيزيک ايران 1384;شهريور 1384(1) |
| کلید واژه: |
|
خلاصه:
تغيير مقياس ترانزيستورهاي MPSFET به منظور بهبود عملكرد ترانزيستور MOS و كاهش هزينه ساخت آن انجام مي شود. با كاهش ابعاد، آثار كانال كوتاه مانند پيچش ولتاژ آستانه و اثر DIBL كه قبلا در ترانزيستورهاي كانال طويل به چشم نمي آمدند اهميت مي يابند، كه موجب اختلال در عملكرد ترانزيستور مي شوند. يكي از روشها براي از بين بردن آثار كانال كوتاه ايجاد آلايش هاله كون و تبديل ناخالصي بستر است. ترانزيستوري با طول كانال موثر 90 نانومتر شبيه سازي شده و با ايجاد آلايش هاله گون و تغيير ناخالصي بستر آثار كانال كوتاه را بهبود مي دهيم. |
