قسمت آخر:با حافظه های M-RAM آشنا شوید

ابتدا اجازه دهید به پارامترهای مالی نگاه کنیم. یک راه برای بررسی تکنولوژی های حافظه مقایسه نواحی سلول بیت است. زمانی که این کار را انجام می دهیم باید فرایندهای (65نانومتر)را خوب شناسائی کنیم تا مقایسه دقیقی انجام داده باشیم.در صنعت رایج است که اندازه های سلول بیت رابراساس مربع F اندازه گیری کنیم. مثلا در یک تکنولوژی 65 نانومتری حداقل حالت لیتوگرافی  کاملا واضح است که 65 نانومتر خواهد بود و واحد مقایسه این گونه است که چند مربع 65 X65 نانومتری در سلول بیت حافظه قرار خواهد گرفت.به این صورت، هر کسی می تواند متوجه شود که چگونه تکنولوژی حافظه در زمان کم کردن فرایندها مقیاس بندی می کند، و چگونه با هندسه مختف می توان سلولهای بیت را مورد مقایسه قرارداد. در دنیای امروزه، سلولهای بیت SRAM، (در موارد EMBED شده) حدودا F2 150-100،و سلولهای بیت DRAM F2  10-6، و  سلولهای بیت فلش مموری F2  10-4، بوده است.معمولا اندازه MRAM نسل اول به F2  40-30 می رسد، و این یعنی فقط از SRAM کمتر است. اما این اندازه میانگین بیشتر از SRAM خیلی مهم است، ولی اکثر SOCها شامل یک یا چند SRAM EMBED شده دارند که بین 20 تا 25% کل سطح چیپ را اشغال می کنند.حتی اولین نسل MRAM می تواند به عنوان جایگزین SRAM های EMBED شده، با هدف کاهش عناصر SRAM EMBEDشده سطح چیپ با فاکتور 4-3، مورد استفاده قرار بگیرند. در حالی که، بقای سازمان حافظه RAM متعارف و بالا نگه داشن بالای سرعتدر محاسبات کل حفظ می شد. نسل دوم سلول های بیت MRAM عموما دارای موقعیت چگالی و با F2  30-20 اغاز می شود، و تا مقدار F2  10 کاهش می یابد.

MRAM های EMBED شده می توانند در SOC تکنولوژی فلش EBED شده را جایگزین کنند و به علاوه پتانسیل جابجایی SRAM را نیز جایگزین کنند. چون MRAM معمولا 3 یا 4 ماسک را برای جریان پردازش متعارف (که درون فرایند فلزی وارد شده است) اضافه می کند، پیشنهاد می کند که از 9-6 گام ماسک کمتر از فرایند فلش  استفاده شود. با این کار نوشتن در ولتاژ پایین و پایایی نامتناهی فراهم می شود،که این کار از عهده فلش مموری ساقط است.اگر چه  سلولهای بیت MRAM کمی بزرگتر از فلش EMBED شده می باشد، مزیت کم بودن ماسکها توجیه اقتصادی برای همه حافظه ها دارد بجز آنهایی که  فلش های EMBED بزرگی دارند.

حتی نکته جالب تر در مورد MRAM این است که، در آینده معماری سیستم با نگاهی وسیع تر در طراحی حافظه صورت می گیرد.ترکیب خصوصیات غیر فرار بودن، دوام نامتناهی، خواندن/نوشتن سرعت بالا، و هزینه پایین درهای نوینی را بر طراحی نوین می گشاید. کاربردهای فراوان در ذخیره سازی، ارتباطات موبایل، شبکه، اتومبیل، و محاسبات سطح بالا برای این سیستم تا کنون بوجود آمده است. کاربردهای دیگری نیز در کامپیوترها و تلفن های هوشمند،سیستم های ارتباطی خیلی سریع و پیکربندی ضد خطای مصرف برق در BACKBONE شبکه ها نیز از آن جمله است. نهایتا، هدف نهایی مقدس تحقیقات MRAM جایگزین شدن ان بجای DRAM است. تکنولوژی های گشتاور چرخشی در آزمایشگاه امروزه مسیری را بر روی سلول بیت در حدود F2  10 بوجود می آورد. زمانی که MRAM ها به این سلول بیت میرسند، کاربردهایی که از DRAM استفاده می کنند، به MRAM به عنوان یک سیستم با عملکرد بالاتر، مقرون به صرفه تر و کاملا رقیب برای DRAM  نگاه می کنند. برای کمک کردن به انجام شدن ین گذر محتمل، باید به صنعت DRAM نگاه کرد که تکنولوژی های خازنی ذخیره سازی در نسلهای اولیه DRAM ممکن است شروع به ایجاد مشکلاتی از قبیل  مقیاس بندی به وجود آورد که بای مقداررا زیر 45نانومتر برساند. تکنولوژی های پیشرفته MRAM ممکن است درآمد 5 میلیارد دلاری DRAM ها را با اشکالاتی مواجه کند.

در نتیجه، SOC ممکن است با MRAM های EMBEDشده که هم توانایی غیرفرار  بودن دارند و هم می توانند جایگزین SRAM شوند، روی دهد. در حالیه که این جایگشت 3 تا 4 برابر چگال تر از تکنولوژی حافظه کنونی 6 ترانزیستوره بوده، بطوری که تنها تغییرات معتدل در فرایندهای CMOS دخالت می کند.زمانی که سیستم به حد مطلوبی از بلوغ رسید، MRAM به یک عامل مقرون به صرفه نسبت به DRAM تبدیل می شود. بنابرین این توان بالقوه را دارد که 10 ها میلیار پول را به شکل دلار در کسب وکار DRAM جابجا و جایگزین کار کند. حال انکه در همین زمان طراحان سیستم در اشتیاق توانایی های سرعت بالاشان و پایائی نامتناهی و غیر فرار می باشند. تحقیقات فیزیکی و فرایندها که امروزه زییر زمینی صورت می گرفت و در مقام مقایسه با DRAM برخواهند امد. توسعه موفقیت آمیز این تکنولوژی های MRAM نسل دوم، به هر کاری و هر شخصی را به خود مشغول خواهد کرد.