بانک مقالات بلورشناسي و كاني شناسي

در اين کار، ساختارهاي رونشانده تكريخت دور آلاييده وارون p-Si/Si_1-xGe_x/Si  با پراش پرتو X و روش الکتريکي مشخصه يابي شده اند. در نتيجه سمتگيري متفاوت صفحات براگ همخوان با لايه كرنش يافته تراکمي SiGe نسبت به لايه Si، مي توان نسبت (x) Ge، و ضخامت لايه پوششي (l_c) را با شبيه سازي کامپيوتري شدت و جدايي زاويه اي قله هاي (004) مشاهده شده در طرح پراش اين ساختارها تعيين کرد. از طرفي در لايه SiGe، يك گاز حفره اي دو بعدي با چگالي سطحي n_s تشكيل و به روش هال اندازه گيري شد و با اعمال ولتاژ متناسب به دريچه مصنوعي (V_g) قابل كنترل است. در مشخصه يابي به روش الکتريکي، دو مشخصه x و l_c با برازش نظري تغييرات خطي n_s بر حسب V_g به دست آمده اند. در خاتمه عوامل موثري که موجب عدم قطعيت نتايج هر روش و اختلاف جزيي آنها مي شود نيز توضيح داده شده اند.

 نسخه قابل چاپ