پاسخ به:مقالات خلاء
شنبه 26 فروردین 1391 11:04 AM
 27: تعيين چگالي سطحي بارهاي ميانگاه اتصال Ti/Si رونشانده به روش پاشش پلاسمايي  |
| صادق زاده محمدعلي، غريب شاهي ليلا، ابوالحسني الهام |
| كنفرانس ملي خلاء ايران 1386;بهمن 1386(3) |
| کلید واژه: |
|
خلاصه:
در اين مقاله با پاشش پلاسمايي Ti بر روي سطح تميز Si ساختار دور آلاييده معكوس p-Si/SiGe/Si اتصال فلز - نيمه رساناي Ti/Si به عنوان دريچه ايجاد گرديد. در لايه آلياژي اين ساختار يك گاز حفره اي دو بعدي (2DHG) با چگالي سطحي ns وجود دارد و با اعمال ولتاژ مناسب به دريچه Vg ميتوان چگالي آن را تغيير داد. با برازش نظري نتايج تجربي ns-Vg به محاسبه چگالي سطحي بارهاي ميانگاه Ti/Si پرداختيم. نتايج نشان مي دهد كه با افزايش ضخامت لايه Si پوششي از 180 به 480 نانومتر چگالي سطحي بارهاي ميانگاه Ti/Siبه ترتيب از 4.6×1015cm-2 به 1.95×1015cm-2 كاهش مي يابد. |
