پاسخ به:مقالات خلاء
شنبه 26 فروردین 1391 11:00 AM
 19: بررسي اثرميزان تخلخل برخواص فتوديودي CdO/PSi/Si به روش طيف سنجي تونلي روبشي (STS)  |
| صمدپور محمود، ايرجي زاد اعظم، مهدوي سيدمحمد، آذريان عباس |
| كنفرانس ملي خلاء ايران 1386;بهمن 1386(3) |
| کلید واژه: |
|
خلاصه:
در اين پژوهش اثر ميزان تخلخل برخواص فتوديودي نمونه هاي چندلايه اي CdO/PSi/Si روش طيف سنجي تونلي روبشي (SpectroscopyScanning Tunneling) مطالعه شد. لايه سيليكن متخلخل (PSi) كمك آندايزالكتروشيميايي سيليكين نوع p+ ولايه اكسيد كادميم (CdO) به روش لايه نشاني ليزر پالسي و در فشار 10-5 torr ساخته شد. نمونه هارا در هوا و به مدت 10 دقيقه در دماي 500oC پخت كرديم تا كمبود اكسيژن در آنها جبران شود. ضخامت و قطر حفرات لايه متخلخل، و مورفولوژي لايه اكسيد كادميم به روشهاي AFM و SEM بررسي شدند. طيف XRD و طيف عبور اپتيكي به منظور بررسي خواص كريستالي و تعيين شكاف انرژي اكسيد كادميم استفاده شدند. با تغيير پارامترهاي موثر در آندايز الكتروشيميايي سيليكن، نمونه هاي CdO/PSi/Si با درصد تخلخل هاي مختلف ساخته شدند. بررسي منحني جريان - ولتاژ نمونه ها در حضور نور و تاريكي به روش طيف سنجي تونلي روبشي (STS) وجود يك درصد تخلخل بهينه را به منظور بهبود خواص فتوديودي نمونه ها نشان داد. |
