پاسخ به:مقالات خلاء
شنبه 26 فروردین 1391 11:00 AM
 18: بررسي اثر بازپخت در خلا بر روي خواص الكتريكي، اپتيكي و ساختاري لايه هاي نازك و شفاف ITO تهيه شده به روش تبخير در خلا با استفاده از باريكه الكتروني  |
| ميرزايي فاطمه، ملكي محمدهادي، ميرجليلي غضنفر |
| كنفرانس ملي خلاء ايران 1386;بهمن 1386(3) |
| کلید واژه: |
|
خلاصه:
لايه هاي نازك ITO بر روي زيرلايه هاي شيشه اي در دماي 200oC با كمك روش تبخير در خلا با استفاده از باريكه الكتروني، لايه نشاني شده است. نمونه هاي لايه نشاني شده، در محيط اتمسفر و محيط خلا، در دماهاي مختلف تحت بازپخت قرار گرفته اند. مقاومت الكتريكي نمونه پس از لايه نشاني 1.84×10-1Wcm اندازه گيري شد و پس از بازپخت در اتمسفر و خلا (به ترتيب) 500oC و 400oC درجه، به مقدار 1.35*10-4Wcm كاهش يافت. عبور نوري نمونه 78.66% بدست آمد. با استفاده از نتايج XRD، ثابت شبكه10.08 Ao محاسبه شد. باند ممنوعه نوري لايه هاي نازك ITO، 4.27 بدست آمد. براي بررسي اندازه گيري خواص لايه هاي نازك ITO از سيستم چهارترمينالي، طيف سنج UV/VIS/IR، XRD و AFM استفاده شده است. |
