پاسخ به:مقالات اپتيك و فوتونيك ايران
جمعه 25 فروردین 1391 9:40 PM
 34: خصوصيات گسيل خودبخودي در اتمهاي سه ترازه L شكل تبهگن در كريستال هاي فوتوني  |
| فروزاني ندا، گلشن محمدمهدي |
| كنفرانس اپتيك و فوتونيك ايران 1385;بهمن 1385(13) |
| کلید واژه: کريستال فوتوني، گسيل خودبخود، گاف کريستال، اتم L شکل |
|
خلاصه:
در اين مقاله خصوصيات گسيل خودبخود را براي اتمهاي سه ترازه L شكل تبهگن، در داخل كريستالهاي فوتوني مورد بررسي قرار داده و ميدان تابشي گسيل شده از اين اتمها را محاسبه مي نماييم. محاسبات و بررسي رفتار جمعيت تراز برانگيخته نشان مي دهد براي حالتهايي از اتم كه در آن انرژي گاف كريستال بالاتر از انرژي حالت برانگيخته اتم باشد، در طيف تابشي هيچگونه ميدان انتشاري وجود ندارد. همچنين با تحليل طيف تابشي مشاهده مي شود كه تعداد مدهاي انتشاري و ايستا در داخل كريستال بستگي به انرژي ترازهاي اتمي و فركانس لبه باند ممنوعه دارد. |
