دانلود مقالات سرامیک

به منظور افزايش مقاومت به اكسيداسيون قطعات گرافيتي در دماهاي بالا از پوشش هاي سراميكي ديرگداز استفاده مي شود. در پژوهش حاضر نحوه ايجاد پوششي بر پايه سيليكون كاربايد (SiC) به روش Pack Cementation مورد بررسي قرار گرفت. بطوريكه از واكنش مستقيم سيستم پودري SiC50%)، Al2O320%، Si30%) با زيرپايه كربني در دماي1700^oC  و به مدت سه ساعت تحت شرايط اتمسفر آرگون پوششي يكنواخت از SiC بر سطح قطعات ايجاد شد. در اين تحقيق قطعات پوشش داده شده در دماهاي بالا 900-1350^oC و در حضور اكسيژن تست شدند و مشخص شد كه تنها حضور پوشش باعث كاهش اكسيداسيون از 56.63% وزني به 6.43% وزني در دماي 1100^oC فاز شيشه اي در سطح پوشش بوجود خواهد آمد كه جريان ويسكوز آن سبب پر شدن خلل فرج موجود در سطح شده و از نزديك شدن اكسيژن به زيرپايه كربني ممانعت كرده و مقاومت قطعه را در برابر اكسيداسيون افزايش مي دهد. چنانكه طبق نتايج حاصل، ميزان اكسيداسيون نمونه هاي پوشش داده شده در دماي 1350^oC پس از 150 دقيقه به حدود3.6 % وزني كاهش يافت و اين در حاليست كه نمونه بدون پوشش در دماي 1350^oC پس از اين زمان كاملا اكسيد شده و از بين رفت.