دانلود کتب، جزوات و مقالات فیزیک

در اين مطالعه، نمونه هاي سيليكن متخلخل بر روي پايه n-Si(111) ساخته شدند و سطح آنها توسط ميكروسكوپ الكتروني مشاهده گرديد. اين مشاهدات حاكي از آن است كه بر روي سطح، حفره هاي مثلثي شكل در ابعاد ميكروني تشكيل مي شود. رسانايي الكتريكي نمونه ها در برابر چند درصد بخار متانول كاهش مي يابد و نتايج تبديل فوريه طيف مادون قرمز از نمونه ها نشان مي دهد كه حضور متانول موجب اكسيد شدن جزيي و موقتي سطح سيليكن متخلخل مي شود. اين بدان معني است كه حاملين آزاد در حضور متانول غيرفعال شده و بدين ترتيب كاهش جريان الكتريكي قابل توجيه مي باشد. علاوه بر اين تبديل فوريه طيف مادون قرمز آشكار مي سازد كه اتمهاي سطحي جفت نشده، با اكسيژن تركيب مي شوند و مانند روشهاي معمول اكسيداسيون سطح سيليكن، اكسيژن جايگزين پيوندهاي Si-H نمي شود. با حذف بخار متانول پيوندهاي اكسيژن پديد آمده در سطح از بين رفته و جريان هم به مقدار اوليه خود نزديك مي شود.